Компания Toshiba на днях объявила о выпуске нового поколения BiCS FLASH™ - флэш-памяти на базе 3-мерной ячеистой структуры.
Это первый в мире 48-уровневый BiCS девайс ёмкостью 256 ГБ (32 Гб), реализующий новую технологию 3-битных ячеек (TLC). Старт поставок опытных образцов намечен на сентябрь.

BiCS FLASH создана на базе современного 48-уровневого стэк-процесса, который увеличивает ёмкость по сравнению с основной на сегодняшний день 2-мерной NAND Flash памятью, а также способствует повышению надёжности и увеличению скорости записи/чтения данных. Новый девайс на 256 ГБ может найти самые разные применения, включая пользовательские SSD, смартфоны, планшеты и карты памяти, а также промышленные SSD в дата-центрах.
С момента анонса технологии BiCS FLASH в июне 2007 года Toshiba продолжила разработки в этом направлении, в частности в плане оптимизации продукта для массового использования. Сейчас компания активно рекламирует переход от стандартной флэш-памяти к BiCS FLASH™, представляя портфолио, нацеленное на использование в высокоёмких приложениях, например, в SSD накопителях.
На данный момент Toshiba готовится к выпуску BiCS FLASH™ в массовое производство на новой производственной площадке Fab2 Yokkaichi Operations. Работы на Fab2 будут завершены в первой половине 2016 года.