Toshiba разрабатывает первую в мире 48-уровневую флэш-память BiCS со стек структурой

BiCS разработана на базе нового стекового 48-уровневого процесса, повышающего надёжность и долговечность записи/удаления информации, а также увеличивающего скорость записи. Технология может с успехом применяться, например, при разработке твердотельных накопителей.

Сделав первое в мире заявление о создании 3D флэш-памяти, компания Toshiba продолжит разработки с целью оптимизации массового производства. С целью удовлетворения растущих потребностей рынка в 2016 году и далее Toshiba активно продвигает новую 3D флэш-память, планируя внедрять её в новую продукцию, в особенности в SSD.

Компания также готовит к массовому выпуску новую Fab2 в Yokkaichi Operations - площадке для производства NAND флэш-памяти. Fab2 в настоящий момент находится на стадии разработки и будет готова к первой половине 2016 года.