Toshiba и Hynix будут разрабатывать память типа MRAM

Областью приложения совместных усилий японских и южнокорейских специалистов станет разработка памяти типа MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory). Напомним, за этой аббревиатурой кроется память, принцип работы которой построен на использовании магниторезистивного эффекта — изменения электрического сопротивления материала в магнитном поле.

Память типа MRAM, как ожидается, заменит применяемую сейчас память типа DRAM и флэш-память, поскольку она объединяет их сильные стороны. Она характеризуется высоким быстродействием и возможностью произвольного доступа, способностью хранить информацию в отсутствие питания и большой долговечностью.

Когда разработка будет завершена, партнеры рассчитывают создать совместное производство по выпуску памяти типа MRAM.

Источник: Toshiba