IBM представила первый в своем роде прототип PCIe-накопителя на памяти PCM

Многие производители, работающие над разработкой новых моделей полупроводников, такие как компания IBM, изучают возможность создания энергетически независимой памяти типа phase change memory –PCM. Это вид памяти, созданной на основе эффекта обратимой смены состояния вещества. Под воздействием довольно высокого тока вещество, находящееся в ячейке, меняет свое состояние на аморфное, это соответствует записи 0, а под воздействием меньших токов ячейка переходит в кристаллическое, ток проводимое состояние, которое отвечает за запись 1. Токи очень малой мощности дают возможность определять базовое состояние материала и считывать записанную информацию. Разработкой памяти типа РСМ в IBM занимаются более десяти лет, периодически привлекая к этой работе различные компании.

Новинку продемонстрировали на мероприятии Non-Volatile Memory Workshop, прошедшем в этом году. Данная плата с этим типом памяти выглядит не по-современному, поскольку она имеет очень большой размер. Следует учесть и то, что выпускаемые в промышленных объемах микросхемы с РСМ памятью имеют малый ее объем. Поэтому для создания подобного решения с большим объемом памяти необходимо использовать достаточно много микросхем.

В представленном IBM РСМ накопителе самое ценное, это его производительность в сравнении с SSD на флэш памяти. По скорости обращения РСМ накопитель превосходит SSD практически в 12 раз, а клиентские SSD в 275 раз. А их устойчивость к износу настолько велика, что превосходит по этому показателю даже NAND-флэш накопители. Обычная ячейка РСМ устройства выдержит 10 миллионов перезаписей, а если еще при этом задействовать коррекцию ошибок, то их устойчивость к износу может составить 10 триллионов операций стирания.